深圳市智兴丰科技有限公司
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  • 所 在 地:广东 深圳 宝安区
  • 主营产品: 电源IC/场效应 LED驱动IC 高压线性恒流IC 调光IC
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公司新闻
高精度线性恒流LED驱动芯片RM9001E发布日期:2021-12-17 10:11:12
RM9001E是一款高精度线性恒流.LED驱动芯片,通过内置MOS管驱动3段高电压LED串。由于不需要电解电容和磁性元件,LED驱动器可以实现小体积、长寿命,并符合EMI规定。RM9001E采用自适应LED分段驱动机制,可以灵活的设置每段LED串,适应不同地区的市电电压,从而提高LED的利用率和总输出流明数。RM9001E可以通过外部电阻***的设定每段LED串的电流,有利于提高PF值和优化TID。当LED串电流较大时芯片要有良好的散热环境。RM9001E具有过温调节功能。当驱动电源过热时,逐渐减小输出电流,从而控制输出电流及温升,使电源温度保持在设定值,以调高系统可
LED四段分段驱动机制RM9001DB发布日期:2021-12-17 10:10:21
RM9001DB采用自适应LED四段分段驱动机制,可以灵活的设置每段LED串,适应不同地区的市电电压,从而提高LED的利用率和总输出流明数。RM9001DB通过优化LED驱动电流,可以***提高PF和优化THD。RM9001DB具备内置过温调控功能,同时芯片具备功率补偿功能,在输出电压范围内波动时输出功率基本不变。
代理商离线式开关电源管理芯片RM6514S发布日期:2021-12-16 09:51:20
RM6514S是一种离线式开关电源管理芯片,内置电流模式PWM+PFM控制器.支持谷底检测开通功能,满足六级能效标准。RM6514S采用低电流启动模式及低工作电流,减少待机损耗。芯片内置多种工作模式,在空载情况下,芯片进入Burst mode模式,消除变压器的音频噪音,提高转换效率;在轻载情况下,电路进入QR模式,有效提高电路的转换效率;在低压重载情况下,电路进入固定频率CCM模式。内部集成斜坡补偿模块,有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性,减小了输出纹波电压.芯片外置0VP保护功能,可以通过VSET管脚的上偏电阻调节芯片的0VP保护上限,以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状
离线式开关电源管理芯片RM6517D发布日期:2021-12-16 09:50:31
RM6517D是一种离线式开关电源管理芯片,内置电流模式PWM+PFM控制器.支持谷底检测开通功能,满足六级能效标准。RM6517D采用低电流启动模式及低工作电流,减少待机损耗。芯片内置多种工作模式,在空载情况下,芯片进入Burst mode模式,消除变压器的音频噪音,提高转换效率:在轻载情况下,电路进入QR模式,有效提高电路的转换效率;在低压重载情况下,电路进入固定频率CCM模式。内部集成斜坡补偿模块,有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性,减小了输出纹波电压。芯片外置0VP保护功能,可以通过VSET管脚的上偏电阻调节芯片的0VP保护上限,以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状
高性能高可靠性电流控制型PWU开关控制芯片RM1342S发布日期:2021-12-16 09:49:03
RM1342S是-款高性能高可靠性电流控制型PWU开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于75mMW, 满足六级能效标准,并且支持CCIW/OR .混合模式。RM1342S集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz 的PIWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在OR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率; RM1342S采用***分段驱动技术,易于搭配超结MOSFET (CoolMOS)改善EMI 设计:在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM1342S 本身损耗极低,因此可以
RM6601ND高性能高可靠性电流控制型PWW开关控制芯片发布日期:2021-12-16 09:48:25
RM6601ND是一款高性能高可靠性电流控制型PWW开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于75mW, 满足六级能效标准,井且支持CCM/OR混合模式。.RM6601ND集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz的PIM模式下,在低压输入时会进入CCM模式:在重载情况下,系统工作在OR模式,以降低开关损耗,同.时结合PFM工作模式提高系统效率: RM6601ND采用专有驱动技术,直驱E-mode GaN FET :在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode 模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6601ND本身损耗极低.因此可以做到***待机功耗。在任何模式下
控制型PWM开关控制芯片RM6604ND发布日期:2021-12-16 09:47:42
RM6604ND是一款内置650V GaNFET, 高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于65mMW, 满足六级能效标准,并且支持CCM/QR 混合模式,提高产品效率及功率密度,改善产品EMI.RM6604ND集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz 的PIM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在R模式,以降低开关损耗,同时结合PFM 工作模式提高系统效率; RM6604ND采用***驱动技术,搭配高压GaNFET 功率器件改善EMI设计;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode 模式,有效去除音频噪音,同
RM6514S离线式开关电源管理芯片发布日期:2021-12-15 09:57:05
RM6514S是一种离线式开关电源管理芯片,内置电流模式PWM+PFM控制器.支持谷底检测开通功能,满足六级能效标准。RM6514S采用低电流启动模式及低工作电流,减少待机损耗。芯片内置多种工作模式,在空载情况下,芯片进入Burst mode模式,消除变压器的音频噪音,提高转换效率;在轻载情况下,电路进入QR模式,有效提高电路的转换效率;在低压重载情况下,电路进入固定频率CCM模式.内部集成斜坡补偿模块,有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性,减小了输出纹波电压.芯片外置0VP保护功能,可以通过VSET管脚的上偏电阻调节芯片的0VP保护上限,以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状
可靠性电流控制型PWM开关控制芯片RM6601S发布日期:2021-12-15 09:55:44
RM6601S是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于65mW,满足六级能效标准,井且支持CCM/OR混合模式。RM6601S集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz 的PIM模式下,在低压输入时会进入CCM模式:在重载情况下,系统工作在OR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率: RM6601S 采用专有的分段驱动技术,易于措配超结MOSFET(CoolMOS)改善EMI设计:在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6601S 本身损耗极低,因此可以做到***待机
原边反馈转换器RM3368S发布日期:2021-12-15 09:53:40
RM336X是- -款低待机功耗.满足六级能效标准的原边反馈转换器,同时具有输出恒流和恒压功能,应用于小功率AC /DC充电器与适配器.RM336X工作于PIN+PFM模式,采用创新的变压器电感峰值电流和开关周期死区时间混合调节技术,从而***较高的整体转换效率和无音频噪音设计。芯片内置线缆压降补偿,由此取得良好的负载调整率。芯片工作电流很低,能够实现小于75mW 待机功耗的应用方案。
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