发布时间：2021-12-16 09:47:42
RM6604ND是一款内置650V GaNFET, 高性能
高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电
压范围内待机功耗小于65mMW， 满足六级能效标
准，并且支持CCM/QR 混合模式，提高产品效率
及功率密度，改善产品EMI.
RM6604ND集成多种工作模式，在重载情况
下，系统工作在传统的固频130Khz 的PIM模
式下，在低压输入时会进入CCM模式;在重载
情况下，系统工作在R模式，以降低开关损耗，
同时结合PFM 工作模式提高系统效率; RM6604ND
采用***驱动技术，搭配高压GaNFET 功率器
件改善EMI设计;在轻载或空载情况下，系统
工作在Burst Mode 模式，有效去除音频噪音，
同时在该模式下，RM6604ND 本身损耗极低，因
此可以做到***待机功耗。在任何模式下，都集
成了***抖频工作模式，以改善EMI.
RM6604ND同时集成了多种保护模式和补偿
电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP,欠
压锁定(uvlo), 逐周期过流保护0CP, 过载保护
(OLP)，CS短路保护，输出肖特基短路保护等，
井内置斜坡补偿。
